Produits
254nm 280nm a mené la lumière UVC 50w 100w 200w
• réaction photochimique
• Durcissement UV et ainsi de suite
• Impression
• Enrobage
• Adhésif
• Détection/sécurité des contrefaçons
• Torche UV
• Photographie fluorescente
• Cure dentaire
Application :
• réaction photochimique
• Durcissement UV et ainsi de suite
• Impression
• Enrobage
• Adhésif
• Détection/sécurité des contrefaçons
• Torche UV
• Photographie fluorescente
• Cure dentaire
• Inspection criminelle
• Détection de fuite d'huile
. Lampe de désinfection à led UV
. Lampe UV pour réaction photochimique
Paramètres:
1. Puces Bridgelux, Epistar, Epileds
2. Emballage japonais Dow Corning Silicon, conformément à la protection de l'environnement
Poudre fluorescente Intematix, assurance qualité
3. Longueur d'onde UV : UVC 254nm 280nm Led Uv Light, UVB 320nm-280nm, UVA : 400nm-320nm
4. Puissance : 50w 100w 150w 200w
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254nm 280nm a mené la lumière UVC 50w 100w 200w




LED UVC
Les applications des LED ultraviolettes (UV) incluent le traitement de l'eau, le stockage de données optiques, les communications, la détection d'agents biologiques et le durcissement de polymères. Les longueurs d'onde comprises entre 100 nm et 280 nm sont appelées la partie UVC du spectre UV.
La longueur d'onde idéale pour la désinfection se situe entre 260 et 270 nm, les longueurs d'onde plus longues produisant une efficacité germicide exponentiellement moindre. Par rapport aux lampes au mercure conventionnelles, les LED UVC offrent un certain nombre d'avantages, notamment l'absence de matières dangereuses, l'activation/désactivation instantanée sans restriction de cycle, une consommation de chaleur réduite avec une extraction de chaleur ciblée et une durabilité accrue.
Dans le cas des LED UVC, un plus grand pourcentage molaire d'aluminium est nécessaire pour générer une émission à courte longueur d'onde (260 nm à 270 nm pour la désinfection), ce qui rend difficile la croissance et le dopage du matériau. Historiquement, le saphir était le substrat le plus largement utilisé pour les nitrures III, car les substrats appariés au réseau en vrac n'étaient pas facilement accessibles. Une importante inadéquation du réseau entre le saphir et la structure AlGaN à haute teneur en Al des LED UVC provoque davantage de recombinaison non radiative (défauts). La différence entre les deux technologies semble être moins prononcée dans la gamme UVB et à des longueurs d'onde plus longues, où le décalage de réseau avec AIN est plus important car des concentrations plus élevées de Ga sont nécessaires. Cet effet semble s'aggraver à une concentration en Al plus élevée, de sorte que les LED UVC à base de saphir ont tendance à perdre de la puissance à des longueurs d'onde inférieures à 280 nm plus rapidement que les LED UVC à base d'AlN.
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